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光伏設(shè)備市場(chǎng)現(xiàn)狀分析:?jiǎn)尉ЫM件性能優(yōu)勢(shì)凸顯

2019-09-20 16:36:08 太陽能發(fā)電網(wǎng)
早期多晶硅片因成本優(yōu)勢(shì)占據(jù)主要市場(chǎng)份額,目前單晶成本下降快速擠壓多晶份額。從生產(chǎn)工藝來看,單多晶生產(chǎn)工藝差別主要體現(xiàn)在拉棒和鑄錠環(huán)節(jié),其中單晶硅棒工藝對(duì)設(shè)備、生產(chǎn)人員的要求嚴(yán)格,早期單晶硅片因長(zhǎng)晶爐投料量、生長(zhǎng)速率、拉棒速度等方面技術(shù)不夠成熟,生產(chǎn)成本居高不下,而多晶硅錠使用鑄錠技術(shù)成本優(yōu)勢(shì)明顯

 

早期多晶硅片因成本優(yōu)勢(shì)占據(jù)主要市場(chǎng)份額,目前單晶成本下降快速擠壓多晶份額。從生產(chǎn)工藝來看,單多晶生產(chǎn)工藝差別主要體現(xiàn)在拉棒和鑄錠環(huán)節(jié),其中單晶硅棒工藝對(duì)設(shè)備、生產(chǎn)人員的要求嚴(yán)格,早期單晶硅片因長(zhǎng)晶爐投料量、生長(zhǎng)速率、拉棒速度等方面技術(shù)不夠成熟,生產(chǎn)成本居高不下,而多晶硅錠使用鑄錠技術(shù)成本優(yōu)勢(shì)明顯而占據(jù)主要市場(chǎng)份額。


近幾年,得益于單晶設(shè)備技術(shù)的改進(jìn),單晶逐步擠壓多晶市場(chǎng)份額,市占率提升,PV Infolink統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示全球單晶硅片產(chǎn)出占比由2016年18.5%提升至2018年46%。

 

長(zhǎng)晶設(shè)備迭代 投料量大幅提升


單晶拉棒與多晶鑄錠的成本主要由設(shè)備折舊費(fèi)、人工費(fèi)、水電費(fèi)、輔料費(fèi)、原料損耗等構(gòu)成,單爐產(chǎn)出差異是單晶拉棒與多晶鑄錠成本差異的主要原因之一。得益于連續(xù)直拉單晶技術(shù)(CCZ)的應(yīng)用,單晶投料量大幅提升,中國(guó)光伏行業(yè)協(xié)會(huì)最新統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示,2018年單晶爐單爐投料量為950kg,較2017年的530kg提升80%,較早期200-300kg投料量提升3-4倍,未來隨著熱場(chǎng)的增大以及連續(xù)拉棒技術(shù)的提升等催化因素,投料量將逐年增大,預(yù)計(jì)到2020年可達(dá)到1100kg;另外得益于機(jī)器的改進(jìn),單爐出棒數(shù)也由1根增加至3-5根。設(shè)備的改進(jìn)降低單晶長(zhǎng)晶成本,為單晶的發(fā)展帶來機(jī)會(huì)。


平價(jià)上網(wǎng)政策倒逼單晶路線成本下降


2019年1月9日,國(guó)家發(fā)改委、國(guó)家能源局發(fā)布《關(guān)于積極推進(jìn)風(fēng)電、光伏發(fā)電無補(bǔ)貼平價(jià)上網(wǎng)有關(guān)工作的通知》,提出推進(jìn)風(fēng)電、光伏發(fā)電無補(bǔ)貼平價(jià)上網(wǎng)的有關(guān)要求和相關(guān)支持政策措施,從而促進(jìn)可再生能源高質(zhì)量發(fā)展,提高風(fēng)電、光伏發(fā)電的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。


自2018年“531”新政以來,行業(yè)降補(bǔ)貼已是大勢(shì)所趨,根據(jù)智匯光伏的報(bào)道,2019年I、II、III類地區(qū)光伏標(biāo)桿電價(jià)擬從2018年底的0.5元/kwh、0.6元/kwh、0.7元/kwh降低到0.4元/kwh、0.45元/kwh、0.55元/kwh。


光伏電價(jià)補(bǔ)貼下調(diào)將是未來光伏產(chǎn)業(yè)的長(zhǎng)期趨勢(shì)。在電價(jià)下降的背景下,電站投資商只有通過不斷降低電站建設(shè)成本,才能保證電站合理收益。通過采用高轉(zhuǎn)換效率的單晶組件,可以有效降低組件相關(guān)設(shè)備成本,電價(jià)下調(diào)將促使下游電站投資商更多采用單晶產(chǎn)品,提高單晶市場(chǎng)占比。


電池片和組件環(huán)節(jié)單晶高轉(zhuǎn)換效率降低單位成本


在《光伏制造行業(yè)規(guī)范條件》和“領(lǐng)跑者”計(jì)劃推動(dòng)下,各種晶硅電池生產(chǎn)技術(shù)迅速進(jìn)步。2018年,規(guī);a(chǎn)的多晶黑硅電池的平均轉(zhuǎn)換效率達(dá)到19.2%,使用PERC電池技術(shù)的單晶和多晶硅電池效率提升至21.8%和20.3%,較2017年分別提升0.5個(gè)百分點(diǎn)和0.3個(gè)百分點(diǎn),N型PERT單晶電池平均轉(zhuǎn)化效率已經(jīng)達(dá)到21.5%。


單晶組件性能優(yōu)勢(shì)凸顯


◆ 同等條件下單晶組件發(fā)電量更高


多晶硅在單晶爐內(nèi)形成具有單一晶向、無晶界、位錯(cuò)缺陷和雜質(zhì)密度低的單晶硅棒,而通過簡(jiǎn)單鑄錠的形成的多晶硅棒是由眾多小單晶顆粒組成,顆粒間的晶界會(huì)影響降低電池的發(fā)電能力。單晶材料結(jié)構(gòu)單一,晶體結(jié)構(gòu)更穩(wěn)定,使得單晶材料相比多晶材料具有強(qiáng)弱光響應(yīng)、低光致衰減、低工作溫度和低線損的優(yōu)勢(shì),帶來的結(jié)果是同等條件下較多晶更多的發(fā)電量。


◆ 單晶組件長(zhǎng)期使用過程中功率衰減更少


光致衰減現(xiàn)象是指在光照下,電池組件發(fā)電功率發(fā)生衰退,是影響單晶組件和多晶組件穩(wěn)定性和發(fā)電量的重要因素。單晶組件的初始光衰在光照2-3個(gè)月之后達(dá)到頂峰3%左右,在繼續(xù)接受光照3-4個(gè)月之后,輸出功率會(huì)恢復(fù)到接近初始水平,隨后以較低的穩(wěn)定水平緩慢下降;多晶組件幾乎不存在初始光衰,組件功率在投入使用后持續(xù)衰退。從第二年起,單晶組件平均每年輸出功率衰減不超過0.55%,多晶組件平均每年衰減0.71%-0.73%。到使用年限25年時(shí),單晶組件的衰減后功率比多晶高出將近4個(gè)百分點(diǎn)。


◆ 單晶組件弱光響應(yīng)更強(qiáng)


弱光響應(yīng)是電池組件在光照有限的條件下發(fā)電能力的重要參考因素,弱光響應(yīng)越強(qiáng),說明組件光敏感性越強(qiáng),電池發(fā)電量更穩(wěn)定。在輻照高時(shí)單、多晶相差不大,但在輻照低時(shí),單晶電池的弱光響應(yīng)明顯高于多晶,造成單晶組件相比多晶組件全年的發(fā)電量更高。


以陽光能源在格爾木10MW單晶方陣和10MW多晶方陣為例進(jìn)行對(duì)比。在近兩年的監(jiān)測(cè)周期內(nèi),使用單晶組件的總發(fā)電量比使用多晶組件高出5.12%,由于弱光響應(yīng)方面的優(yōu)勢(shì),在陰天條件下單晶多晶電站發(fā)電量差異更為顯著,高達(dá)10.06%。


由此,在太陽能發(fā)電行業(yè)中,單晶份額提升已成必然趨勢(shì),太陽能發(fā)電對(duì)單晶硅的需求量會(huì)越來越高。



作者: 來源:前瞻產(chǎn)業(yè)研究院 責(zé)任編輯:jianping

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